高精度抗干扰单北斗定位授时芯片及模组关键工艺

本项目建设面积100000平方米，占地面积75000平方米，购置北斗三号卫星信号源、时频同步分析系统、干扰信号源等设备。项目研制一款22nm ULL先进工艺制程的射频基带一体化SOC高精度抗干扰单北斗定位授时芯片，芯片封装尺寸6.5×7.5mm,为COMS塑封；实现芯片超万片的量产及应用推广，有力促进单北斗芯片在国家能源电力等重点行业的规模化应用水平。