基于RRAM的端侧存算一体推理芯片研发和应用
项目介绍
基于RRAM的端侧存算一体推理芯片研发和应用位于陕西西安,属于机械电子电器类项目[机电其他],该项目是新建,企事业类;已到立项阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是备案,项目计划投资金额为31850-38500万元。
项目将通过新材料、新器件和新计算架构的创新,研制基于RRAM(忆阻器)和三维堆叠动态随机存储器的存算一体芯片及板卡。项目将推动忆阻器存算一体技术落地,实现面向端侧推理应用的存算一体芯片的推广应用。项目...
🔑 请登录 查看完整项目信息(联系人、环评、进展、附件等)