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基于RRAM的端侧存算一体推理芯片研发和应用

审批陕西 西安 更新:2025-04-14 07:00:03

项目介绍

基于RRAM的端侧存算一体推理芯片研发和应用位于陕西西安,属于机械电子电器类项目[机电其他],该项目是新建,企事业类;已到立项阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是备案,项目计划投资金额为31850-38500万元。

项目将通过新材料、新器件和新计算架构的创新,研制基于RRAM(忆阻器)和三维堆叠动态随机存储器的存算一体芯片及板卡。项目将推动忆阻器存算一体技术落地,实现面向端侧推理应用的存算一体芯片的推广应用。项目...
项目名称:基于RRAM的端侧存算一体推理芯片研发和应用
项目名称:基于RRAM的端侧存算一体推理芯片研发和应用
项目编号:757407
投资金额:31850-38500CNY 万元
所属行业:机械电子电器-机电其他
建设性质:新建
当前阶段:立项
进展描述:备案
资金来源:自筹
业主类型:企事业类
项目等级:审批
所在地区:陕西 - 西安
计划开工时间:2025年05月
更新时间:
建设内容:项目将通过新材料、新器件和新计算架构的创新,研制基于RRAM(忆阻器)和三维堆叠动态随机存储器的存算一体芯片及板卡。项目将推动忆阻器存算一体技术落地,实现面向端侧推理应用的存算一体芯片的推广应用。项目...
数据来源:建强金项
发布者:建强金项
当前版本号:1