光刻用紫外半导体激光材料、芯片、模组研发及工程化

项目利用现有厂房设施，购置2英寸氮化镓紫外半导体外延、芯片及封装等关键设备约80余台（套），进行光刻用紫外半导体激光材料、芯片、模组研发及工程化研究，达到年产紫外半导体激光器60万只、高功率激光模组50万瓦的生产能力。项目建成后，可实现光刻用光纤耦合激光器开发并产业化推广，为集成电路光刻、印刷、PCB和激光医疗等领域的设备提供稳定可靠激光光源，实现国产化替代。