面向高带宽存储的多层超薄芯片热压键合技术及装备

本项目研发高带宽存储器（HBM）多层超薄芯片热压键合技术及装备，总投资6000万元，建设周期3年，建成后年产15台套热压键合设备，年销售收入2.5亿元。主要内容包括技术研发（如超薄芯片拾取、键合头水平度控制、温度监测等）和产业化应用（在长鑫存储、长江存储等企业示范）。产品配套设备（X射线检测机、SEM等）。设计生产能力为年产15~20台套，支持≥8层DRAM芯片堆叠，工艺精度达±1.5μm。设备良...