建强金项全国工程立项情报平台

浙江某公司建设碳化硅MOSFET功率芯片生产线项目配套废气处理设施

拟建浙江 杭州 更新:2024-06-25 07:00:31

项目介绍

浙江某公司建设碳化硅MOSFET功率芯片生产线项目配套废气处理设施位于浙江杭州,属于机械电子电器类项目[机电其他],该项目是新建,企事业类;已到环评阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是环境影响评价,项目计划投资金额为91000-110000万元。

公司总投资 100000 万元,新征建设用地 38.81 亩,新增研发、测试及制造厂房等地上建筑面积 65715.57m2,新增地下建筑面积 3628.8m2,项目为计算机、通信和其他电子设备研发制造外延制备实验室和工艺共性平台,用于研发及生产 2 英寸碳化硅 MOSFET 功率芯片产品,项目建成后达到年产 10 万片 2英寸碳化硅 MOSFET 功率芯片的生产规模。