长庚金晶半导体级高纯硅项目

本项目占地面积225亩，建筑面积为76000㎡。项目建设内容为每条生产线1台45000kVA高纯硅矿热炉及其公辅设施，共4条生产线，年产高纯硅10万吨。主要建设内容：主要包括矿热炉主厂房、原料棚、变电所、固废库、氧气站、空压制氮间、电气室及工艺楼、修包间、备品备件库、电极库、危废暂存间、机修间、微硅粉库、循环水泵站、消防泵站、110kV开关站、分析基站小屋、氨区、综合办公楼、食堂、宿舍、门卫室等建...