第三代半导体新材料项目

总占地面积50亩，新征建设用地50亩，规划建筑面积30000平方米（实际建设面积以规划部门审批为准），拟建一座厂房及配套设施，总建筑面积30000平方米，新建第三代半导体新材料生产线10条，购置研磨机、抛光机、清洗机等国产设备57台套，年产第三代半导体新材料400 吨。