面向下一代卫星互联网，毫米波GaN器件和相控阵芯片研发项目

1.本项目在现有研发场地基础上进行改造，主要围绕毫米波器件工艺、相控阵T/R芯片、SiP模组、射频前端芯片等开展研究开发，并购置离子注入机、原子层沉积仪等设备。项目建成后将进一步提升公司的研究开发能力和市场竞争能力；2.项目建设周期为：2026年11月至2029年5月。