集成电路用旋涂绝缘介质及光刻配套材料项目

拟建厂房及附属设施，项目总用地面积约38000平方米，购置反应釜、过滤器等主要生产设备，引进SOD（聚硅氮烷）生产线1条。，主要建筑物面积：26000平方米，新增生产能力（或使用功能）：年产1000吨集成电路旋涂绝缘介质（SOD聚硅氮烷）及光刻配套材料，其中SOD聚硅氮烷100吨，光刻配套材料900吨，年产值达45000万元。