车规级功率半导体IGBT及分立器件生产制造西南总部基地项目

项目租用园区已建标准厂房1层进行建设（租用厂房为4层，楼高22m，项目租用1层进行建设），1层设置办公区和生产车间，建设IGBT分立器件（TO系列封装）的封装测试线，建成后生产能力为年产IGBT分立器件5亿只。建设内容包括主体工程、储运工程、辅助工程、公用工程、环保工程。总投资3000万元，环保投资81.1万元，环保投资占比2.7%。