高可靠性中高压MOS器件封测产业化项目

项目代码：26093204110401163525，总投资45815万元，在云河西路 98 号，租用生产厂房，实施高可靠性中高压 MOS器件封测产业化项目，项目建成后可形成年产功率MOS器件8亿颗的生产能力。项目产品方案、主要原辅材料、主要设备及工艺按《报告表》确定的内容实施。