高压碳化硅功率半导体器件芯片研制
项目介绍
高压碳化硅功率半导体器件芯片研制位于陕西西安,属于机械电子电器类项目[机械],该项目是技改及其他,企事业类;已到立项阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是备案,项目计划投资金额为4550-5500万元。
本项目开展高压SiC MOSFET和配套高压SiC JBS二极管芯片的研究开发与产业化。项目拟购置配套研发测试设备10余台(套),主要包括图示仪、探针台、红外热成像仪、超声扫描设备等,用于功率半导体器...
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