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高压碳化硅功率半导体器件芯片研制

审批陕西 西安 更新:2026-09-08 07:00:00

项目介绍

高压碳化硅功率半导体器件芯片研制位于陕西西安,属于机械电子电器类项目[机械],该项目是技改及其他,企事业类;已到立项阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是备案,项目计划投资金额为4550-5500万元。

本项目开展高压SiC MOSFET和配套高压SiC JBS二极管芯片的研究开发与产业化。项目拟购置配套研发测试设备10余台(套),主要包括图示仪、探针台、红外热成像仪、超声扫描设备等,用于功率半导体器...
项目名称:高压碳化硅功率半导体器件芯片研制
项目名称:高压碳化硅功率半导体器件芯片研制
项目编号:1803989
投资金额:4550-5500CNY 万元
所属行业:机械电子电器-机械
建设性质:技改及其他
当前阶段:立项
进展描述:备案
资金来源:自筹
业主类型:企事业类
项目等级:审批
所在地区:陕西 - 西安
计划开工时间:2026年09月
更新时间:
建设内容:本项目开展高压SiC MOSFET和配套高压SiC JBS二极管芯片的研究开发与产业化。项目拟购置配套研发测试设备10余台(套),主要包括图示仪、探针台、红外热成像仪、超声扫描设备等,用于功率半导体器...
数据来源:建强金项
发布者:建强金项
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