高压碳化硅功率半导体器件芯片研制
项目介绍
高压碳化硅功率半导体器件芯片研制位于陕西西安，属于机械电子电器类项目[机械]，该项目是技改及其他，企事业类；已到立项阶段，在全国工程立项情报平台建强金项上发布后，目前最新标记状态是备案，项目计划投资金额为4550-5500万元。
本项目开展高压SiC MOSFET和配套高压SiC JBS二极管芯片的研究开发与产业化。项目拟购置配套研发测试设备10余台（套），主要包括图示仪、探针台、红外热成像仪、超声扫描设备等，用于功率半导体器件研发项目技改，项目达产后预计年产值不低于5000万元。（该备案为告知性备案，涉及有关行业管理部门职责的，以行业管理部门意见为准\u0029
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