源杰半导体科技产业园（一期）

项目拟规划用地 84227.80平方米，建筑面积110000平方米，建设生产厂房1（晶圆厂、芯片厂）、研发楼、办公楼、宿舍楼及配套工程。引进先进生产及测试设备，建设以4英寸为主的晶圆制造、芯片设计、芯片加工及测试于一体的磷化铟基高速EML激光器芯片和大功率CW激光器芯片的IDM产业化基地。建成后年产量不低于2.3亿颗芯片，年产值不低于40亿元。