8英寸沟槽型SiCMOSFET芯片制造工艺技术研发和产业化项目
项目介绍
8英寸沟槽型SiCMOSFET芯片制造工艺技术研发和产业化项目位于浙江绍兴，属于机械电子电器类项目[机械]，该项目是新建，企事业类；已到环评阶段，在全国工程立项情报平台建强金项上发布后，目前最新标记状态是环评公示，项目计划投资金额为47588-57525万元。
项目拟利用已有生产线厂房和设施，通过对生产设备进行更新置换，开展8英寸沟槽型碳化硅MOSFET芯片生产，新增年产3000片/月8英寸SiC集成电路晶圆的生产能力，同时削减8英寸Si集成电路晶圆3000片/月的产能，项目建成后全厂形成年产116.4万片8英寸Si集成电路晶圆、3.6万片8英寸SiC集成电路晶圆的生产能力。
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