建强金项全国工程立项情报平台

8英寸沟槽型SiCMOSFET芯片制造工艺技术研发和产业化项目

审批浙江 绍兴 更新:2026-08-17 07:02:34

项目介绍

8英寸沟槽型SiCMOSFET芯片制造工艺技术研发和产业化项目位于浙江绍兴,属于机械电子电器类项目[机械],该项目是新建,企事业类;已到环评阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是环评公示,项目计划投资金额为47588-57525万元。

项目拟利用已有生产线厂房和设施,通过对生产设备进行更新置换,开展8英寸沟槽型碳化硅MOSFET芯片生产,新增年产3000片/月8英寸SiC集成电路晶圆的生产能力,同时削减8英寸Si集成电路晶圆3000...
项目名称:8英寸沟槽型SiCMOSFET芯片制造工艺技术研发和产业化项目
项目名称:8英寸沟槽型SiCMOSFET芯片制造工艺技术研发和产业化项目
项目编号:1742910
投资金额:47588-57525CNY 万元
所属行业:机械电子电器-机械
建设性质:新建
当前阶段:环评
进展描述:环评公示
资金来源:自筹
业主类型:企事业类
项目等级:审批
所在地区:浙江 - 绍兴
更新时间:
建设内容:项目拟利用已有生产线厂房和设施,通过对生产设备进行更新置换,开展8英寸沟槽型碳化硅MOSFET芯片生产,新增年产3000片/月8英寸SiC集成电路晶圆的生产能力,同时削减8英寸Si集成电路晶圆3000...
数据来源:建强金项
发布者:建强金项
当前版本号:1