第四代超窄禁带半导体锑化镓衬底和砷化铟衬底材料制造项目
项目介绍
第四代超窄禁带半导体锑化镓衬底和砷化铟衬底材料制造项目位于江西抚州,属于机械电子电器类项目[机械],该项目是新建,企事业类;已到立项阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是备案,项目计划投资金额为13650-16500万元。
该项目总建筑面积约2000平方米。项目分两期建设,主要产品为4英寸锑化镓单晶衬底(年产量约2万片)、4英寸砷化铟单晶衬底(年产量约1万片)等。企业承诺年综合能源消费量不满 1000 吨标准煤且年煤炭消费量不满1000 吨。
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