广州创天电子科技股份有限公司 创天电子科技产业园B区项目

项目规划总用地面积28427平方米，新建2#厂房一栋（地上16层、地下1层），建筑面积34580.43平方米；3#厂房一栋（地上17层、地下一层），建筑面积81680平方米；连廊，建筑面积145.7平方米。\r新建建筑物占地面积6865.66平方米，建筑面积116406.13平方米，主要用于射频微波陶瓷电容器、微波芯片电容器、中高压片式多层陶瓷电容器、片式多层压敏电阻器及静电抑制器、陶瓷薄膜电路...