山西烁科晶体有限公司12英寸高质量导电型碳化硅衬底、外延及器件攻关项目
项目介绍
山西烁科晶体有限公司12英寸高质量导电型碳化硅衬底、外延及器件攻关项目位于山西,属于机械电子电器类项目[机电其他],该项目是新建,企事业类;已到立项阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是备案,项目计划投资金额为31850-38500万元。
利用山西烁科晶体有限公司中国电科(山西)碳化硅材料产业基地平台B02、B04厂房,购置碳化硅单晶生长炉、抛光机、倒角机等设备,研究低位错缺陷密度的12英寸碳化硅单晶及衬底。项目完成后基于12英寸衬底和外延片,完成1200V/100A碳化硅MOSFET器件的制造。
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