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年产2000吨先进半导体薄膜沉积前驱体生产基地

审批福建 泉州 更新:2026-06-16 07:03:22

项目介绍

年产2000吨先进半导体薄膜沉积前驱体生产基地位于福建泉州,属于机械电子电器类项目[机电其他],该项目是新建,企事业类;已到立项阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是备案,项目计划投资金额为100100-121000万元。

用地面积296亩,建设年产2000吨先进半导体薄膜沉积前驱体生产基地,产品包括钴、钨等10种系列前驱体,涉及22种产品(Co前驱体(15t/a八羰基二钴、4t/aCpCo(CO)2、4t/aCCTBA)、Ta前驱体(4t/a五氯化钽、2t/aPDMAT)、high-k前驱体(50t/a四氯化铪、10t/aCpHf、9t/aTEMAZ)、Sn前驱体(9t/aTDMASn)、Ru前驱体(0.1t/aC...
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项目名称:年产2000吨先进半导体薄膜沉积前驱体生产基地
项目名称:年产2000吨先进半导体薄膜沉积前驱体生产基地
项目编号:1611481
投资金额:100100-121000CNY 万元
所属行业:机械电子电器-机电其他
建设性质:新建
当前阶段:立项
进展描述:备案
资金来源:自筹
业主类型:企事业类
项目等级:审批
所在地区:福建 - 泉州
更新时间:
建设内容:用地面积296亩,建设年产2000吨先进半导体薄膜沉积前驱体生产基地,产品包括钴、钨等10种系列前驱体,涉及22种产品(Co前驱体(15t/a八羰基二钴、4t/aCpCo(CO)2、4t/aCCTBA)、Ta前驱体(4t/a五氯化钽、2t/aPDMAT)、high-k前驱体(50t/a四氯化铪、10t/aCpHf、9t/aTEMAZ)、Sn前驱体(9t/aTDMASn)、Ru前驱体(0.1t/aC...
数据来源:建强金项
发布者:建强金项
当前版本号:1