年产2000吨先进半导体薄膜沉积前驱体生产基地
项目介绍
年产2000吨先进半导体薄膜沉积前驱体生产基地位于福建泉州,属于机械电子电器类项目[机电其他],该项目是新建,企事业类;已到立项阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是备案,项目计划投资金额为100100-121000万元。
用地面积296亩,建设年产2000吨先进半导体薄膜沉积前驱体生产基地,产品包括钴、钨等10种系列前驱体,涉及22种产品(Co前驱体(15t/a八羰基二钴、4t/aCpCo(CO)2、4t/aCCTBA)、Ta前驱体(4t/a五氯化钽、2t/aPDMAT)、high-k前驱体(50t/a四氯化铪、10t/aCpHf、9t/aTEMAZ)、Sn前驱体(9t/aTDMASn)、Ru前驱体(0.1t/aC...
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