四川晶导微电子功率半导体（IDM）内江基地建设项目（一期）

项目总投资6.45亿元，总建筑面积约8.8万平方米，开展电子功率半导体（IDM）内江基地（一期）建设项目。拟建设包括功率二极管生产线、功率整流桥生产线在内的多条生产线及配套设施（仓库、食堂、倒班房、配电室及污水处理等），建成后可达到年产功率二极管产品420亿只及功率整流桥产品200亿只的生产能力。