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浙江驰拓科技有限公司大飞机用MRAM存储器研制项目

审批浙江 杭州 更新:2026-03-02 07:00:48

项目介绍

浙江驰拓科技有限公司大飞机用MRAM存储器研制项目位于浙江杭州,属于机械电子电器类项目[机械],该项目是新建,企事业类;已到立项阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是备案,项目计划投资金额为6502-7860万元。

浙江驰拓科技有限公司依托12英寸新型存储器芯片研发中试及小批量量产线(位于浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1718号),开展大飞机用MRAM存储器研制项目,项目拟采购晶圆级多场测试装置、多功能板级测试装置、实测级高低温冲击实验机台、超高频(亚纳秒)电学测试平台等科研设备,用于开展高可靠抗辐照MRAM芯片设计与验证、器件开发、平台建设、可靠性评测体系建设等研发工作。本项目仅用于研发,不涉及生产。
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项目名称:浙江驰拓科技有限公司大飞机用MRAM存储器研制项目
项目名称:浙江驰拓科技有限公司大飞机用MRAM存储器研制项目
项目编号:1398812
投资金额:6502-7860CNY 万元
所属行业:机械电子电器-机械
建设性质:新建
当前阶段:立项
进展描述:备案
资金来源:自筹
业主类型:企事业类
项目等级:审批
所在地区:浙江 - 杭州
计划开工时间:2026年06月
更新时间:
建设内容:浙江驰拓科技有限公司依托12英寸新型存储器芯片研发中试及小批量量产线(位于浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1718号),开展大飞机用MRAM存储器研制项目,项目拟采购晶圆级多场测试装置、多功能板级测试装置、实测级高低温冲击实验机台、超高频(亚纳秒)电学测试平台等科研设备,用于开展高可靠抗辐照MRAM芯片设计与验证、器件开发、平台建设、可靠性评测体系建设等研发工作。本项目仅用于研发,不涉及生产。
数据来源:建强金项
发布者:建强金项
当前版本号:1