半导体先进材料生长与器件集成科研平台建设项目

本项目建设内容包括：半导体材料生长洁净室，半导体工艺洁净室，水电气辅助间等。本实验室主要开发四英寸硅衬底外延片、蓝宝石衬底氮化镓外延片、磁存储器的新材料外延片，年工作时间150天，8小时/天，主要用于制备半导体光电器件外延材料，并进行芯片加工。