基于22nm逻辑和RRAM存储器件工艺技术的存算一体芯片研发项目
项目介绍
基于22nm逻辑和RRAM存储器件工艺技术的存算一体芯片研发项目位于广东,属于机械电子电器类项目[电子电器],该项目是新建,企事业类;已到立项阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是备案,项目计划投资金额为143780-173800万元。
该项目为研发项目,无实际新增产能。开展22nm逻辑和RRAM存储器件工艺技术研发,争取创新发明可替代现有常规的新型存储器件架构,填补国内新型存储与先进逻辑集成技术空白。项目建筑面积约60000平方米,占地面积约20000平方米。
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