建强金项全国工程立项情报平台

基于22nm逻辑和RRAM存储器件工艺技术的存算一体芯片研发项目

审批广东 更新:2025-11-18 07:01:48

项目介绍

基于22nm逻辑和RRAM存储器件工艺技术的存算一体芯片研发项目位于广东,属于机械电子电器类项目[电子电器],该项目是新建,企事业类;已到立项阶段,在全国工程立项情报平台建强金项上发布后,目前最新标记状态是备案,项目计划投资金额为143780-173800万元。

该项目为研发项目,无实际新增产能。开展22nm逻辑和RRAM存储器件工艺技术研发,争取创新发明可替代现有常规的新型存储器件架构,填补国内新型存储与先进逻辑集成技术空白。项目建筑面积约60000平方米,...
项目名称:基于22nm逻辑和RRAM存储器件工艺技术的存算一体芯片研发项目
项目名称:基于22nm逻辑和RRAM存储器件工艺技术的存算一体芯片研发项目
项目编号:1205403
投资金额:143780-173800CNY 万元
所属行业:机械电子电器-电子电器
建设性质:新建
当前阶段:立项
进展描述:备案
资金来源:自筹
业主类型:企事业类
项目等级:审批
所在地区:广东
计划开工时间:2026-05-01
更新时间:
建设内容:该项目为研发项目,无实际新增产能。开展22nm逻辑和RRAM存储器件工艺技术研发,争取创新发明可替代现有常规的新型存储器件架构,填补国内新型存储与先进逻辑集成技术空白。项目建筑面积约60000平方米,...
数据来源:建强金项
发布者:建强金项
当前版本号:1