多场景辐射智能检测系统项目

项目围绕宽禁带半导体材料制备、中子探测器研发及性能优化展开。在材料方面，采用MPCVD技术，以高温高压金刚石为基底，通过气源除氮、温场调控实现高质量低氮电子级金刚石单晶生长并分选；在导电碳化硅衬底上外延生长含100微米厚非掺杂高阻层的多层结构；基于常压金属熔剂法，结合非平衡态热力学耦合模型与分段式反应工艺，制备大尺寸低缺陷氮化硼单晶及富含同位素1?B的块体。探测器制备上，通过模拟优化参数，制作含聚...